Características Filtros de interferencia integrados depositados directamente en silicio CMOS estándar 6 canales espectrales espaciados a 450, 500, 550, 570, 600 y 650 nm Microcontrolador integrado en el chip y bajo consumo de energía 2 controladores de LED integrados Interfaces seleccionables UART o I²C estándar Calibrado en fábrica Ventajas Condiciones de filtrado estables a lo […]
Características Triestímulo XYZ+NIR realizado mediante filtros de interferencia de silicio Controladores de LED programables integrados Interfaz digital esclava I²C con operación de interrupción opcional ADC de 16 bits con acceso digital Encapsulado LGA de 20 patillas de 4,5 mm x 4,7 mm x 2,5 mm, con apertura incorporada Ventajas Condiciones de filtrado estables a lo
Características Triestímulo XYZ+NIR realizado mediante filtros de interferencia de silicio Interfaz UART o I²C seleccionable ADC de 16 bits con acceso digital Controladores de LED programables integrados Microcontrolador integrado Encapsulado LGA de 20 patillas de 4,5 mm x 4,7 mm x 2,5 mm, con apertura integrada Calibrado en fábrica Beneficios Condiciones de filtro estables a
Características Arquitectura de doble diodo patentada Ajuste de desplazamiento de proximidad programable Bit indicador de saturación de proximidad Corriente de accionamiento del LED programable Beneficios Permite el funcionamiento en entornos con luz IR Elimina la interferencia del sistema de LEDs IR Evita la detección de proximidad falsa en la luz brillante Permite la selección de
Características Arquitectura de doble diodo patentada Rango dinámico de 2M:1 Corriente de accionamiento del LED programable Función de interrupción programable Encapsulado Dual Flat sin plomo (FN) de 2 mm x 2 mm de superficie eficiente Ventajas Permite el funcionamiento en entornos con luz IR Permite el funcionamiento con luz solar de alta intensidad y la
Características Tecnología ToF directa con detección SPAD de alta sensibilidad Configuración multizonal configurable 8×8 con detección multiobjeto Campo de visión ajustable (hasta 63° de diagonal) Arquitectura de convertidor rápido de tiempo a digital (TDC) Pulso de luz de sub-nanosegundo Detección de distancias de 10 a 5000 mm a 30 Hz Procesamiento del histograma en el
Características Tecnología ToF directa con detección SPAD de alta sensibilidad Configuración multizona configurable 4×4 con detección multiobjeto Campo de visión ajustable (hasta 63° de diagonal) Arquitectura de convertidor rápido de tiempo a digital (TDC) Pulso de luz de sub-nanosegundo Detección de distancias de 10 a 5000 mm a 30 Hz Procesamiento del histograma en el
Características Tecnología ToF directa con detección SPAD de alta sensibilidad Configuración multizona 3×3 con detección multiobjeto Campo de visión ajustable (hasta 63° de diagonal) Arquitectura de convertidor rápido de tiempo a digital (TDC) Pulso de luz de sub-nanosegundo Detección de distancias de 10 a 5000 mm a 30 Hz Procesamiento de histogramas en el chip
Características Tecnología ToF directa con detección SPAD de alta sensibilidad Arquitectura de convertidor rápido de tiempo a digital (TDC) Pulso de luz de sub-nanosegundo Detección de distancias de 20 a 2500 mm a 30 Hz Procesamiento del histograma en el chip Seguridad ocular VCSEL de 940 nm de clase 1 Filtro de rechazo de la
Características Tecnología ToF directa con detección SPAD de alta sensibilidad Arquitectura de convertidor rápido de tiempo a digital (TDC) Pulso de luz de sub-nanosegundo Detección de distancias de 20 a 2500 mm a 30 Hz Procesamiento del histograma en el chip Seguridad ocular VCSEL de 940 nm de clase 1 Filtro de rechazo de la
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