Mira030
Features 180 fps at 10b full resolution Global shutter pixel MIPI and LVDS I²C interface Max 120 mW at max frame rate Benefits Motion blur robustness & low PLS Standard data interfaces Standard control interface Low power consumption
Produkte AMS
Mira030
Caratteristiche 180 fps a risoluzione piena 10b Pixel di attivazione globale MIPI e LVDS Interfaccia I²C Massimo 120 mW alla massima frequenza di fotogrammi Vantaggi Robustezza contro la sfocatura da movimento e il PLS basso Interfacce dati standard Interfaccia di controllo standard Basso consumo energetico
TSL27723
Features Patented dual-diode architecture 8M:1 dynamic range UV rejection package Proximity offset adjustment Proximity saturation indicator bit Benefits Enables operation in IR light environments Enables operation in 60K lux sunlight and accurate sensing behind spectrally distorting materials Improves lux accuracy across varying light sources Compensates for internal system offset or IR LED crosstalk Prevents false
TSL27723
CaracterÃsticas Arquitectura de doble diodo patentada Rango dinámico de 8M:1 Paquete de rechazo de UV Ajuste del offset de proximidad Bit indicador de saturación de proximidad Ventajas Permite el funcionamiento en entornos con luz IR Permite el funcionamiento en luz solar de 60K lux y la detección precisa detrás de materiales que distorsionan el espectro
TSL27723
Caratteristiche Architettura a doppio diodo brevettata Gamma dinamica 8M:1 Alloggiamento con protezione dai raggi UV Impostazione dell’offset di avvicinamento Bit dell’indicatore di saturazione di prossimità Vantaggi Consente il funzionamento in ambienti con luce IR Consente il funzionamento in condizioni di luce solare a 60K lux e il rilevamento accurato dietro materiali che distorcono lo spettro.
TSL27723
Merkmale Patentierte Doppeldioden-Architektur 8M:1 dynamischer Bereich Gehäuse mit UV-Abweisung Einstellung des Annäherungsoffsets Näherungssättigungs-Anzeigebit Vorteile Ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit IR-Licht Ermöglicht den Betrieb bei 60K Lux Sonnenlicht und eine genaue Erfassung hinter spektral verzerrenden Materialien Verbessert die Lux-Genauigkeit bei unterschiedlichen Lichtquellen Kompensiert internen System-Offset oder IR-LED-Nebensprechen Verhindert falsche Näherungserkennung bei hellem Licht
TSL27721
Caratteristiche Architettura a doppio diodo brevettata Gamma dinamica 8M:1 Alloggiamento con protezione dai raggi UV Impostazione dell’offset di avvicinamento Bit dell’indicatore di saturazione di prossimità Vantaggi Consente il funzionamento in ambienti con luce IR Consente il funzionamento in condizioni di luce solare a 60K lux e il rilevamento accurato dietro materiali che distorcono lo spettro
TSL27721
CaracterÃsticas Arquitectura de doble diodo patentada Rango dinámico de 8M:1 Paquete de rechazo de UV Ajuste del offset de proximidad Bit indicador de saturación de proximidad Ventajas Permite el funcionamiento en entornos con luz IR Permite el funcionamiento en luz solar de 60K lux y la detección precisa detrás de materiales que distorsionan el espectro
TSL27721
Merkmale Patentierte Doppeldioden-Architektur 8M:1 dynamischer Bereich Gehäuse mit UV-Abweisung Einstellung des Annäherungsoffsets Näherungssättigungs-Anzeigebit Vorteile Ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit IR-Licht Ermöglicht den Betrieb bei 60K Lux Sonnenlicht und eine genaue Erfassung hinter spektral verzerrenden Materialien Verbessert die Lux-Genauigkeit bei unterschiedlichen Lichtquellen Kompensiert internen System-Offset oder IR-LED-Nebensprechen Verhindert falsche Näherungserkennung bei hellem Licht
TSL27721
Features Patented dual-diode architecture 8M:1 dynamic range UV rejection package Proximity offset adjustment Proximity saturation indicator bit Benefits Enables operation in IR light environments Enables operation in 60K lux sunlight and accurate sensing behind spectrally distorting materials Improves lux accuracy across varying light sources Compensates for internal system offset or IR LED crosstalk Prevents false