Merkmale
- Patentierte Doppeldioden-Architektur
- 1M:1 dynamischer Bereich
- Programmierbarer LED-Treiberstrom
- Programmierbare Unterbrechungsfunktion
- Flächeneffizientes 2mm x 2mm Dual Flat No-Lead (FN) Gehäuse
Vorteile
- Ermöglicht den Betrieb in IR-Licht-Umgebungen
- Ermöglicht den Betrieb bei 10 kLux Sonnenlicht und eine genaue Abtastung hinter spektral verzerrenden Materialien
- Ermöglicht die Auswahl mehrerer Leistungsstufen ohne externe Passive
- Reduziert den Interrupt-Overhead des Mikroprozessors
- Reduziert den Platzbedarf auf der Platine und vereinfacht das Design
