Merkmale
- Patentierte Doppeldioden-Architektur
- 8M:1 dynamischer Bereich
- Programmierbare Unterbrechungsfunktion
- UV-abweisendes Gehäuse
- Flächeneffizientes 2mm x 2mm Dual Flat No-Lead (FN) Gehäuse
Vorteile
- Ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit IR-Licht
- Ermöglicht den Betrieb in dunklen Räumen bis zu 60K Lux Sonnenlicht
- Reduziert den Interrupt-Overhead des Mikroprozessors
- Verbessert die Lux-Genauigkeit bei verschiedenen Lichtquellen
- Reduziert den Platzbedarf auf der Platine und vereinfacht das Design
