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AS5850B

Merkmale

  • Zeilenzeiten bis zu 20 µs bzw. 15 µs im ADC-Low-OSR-Modus
  • Binning-Modus (halbe Anzahl effektiver Kanäle) für eine schnellere Auslesegeschwindigkeit von bis zu 10 µs
  • Wählbare Parameter: Eingangsladungsbereich, Löcher- oder Elektronenpolarität, Detektor-Timing, Tiefpassfilter-Zeitkonstante und Zeilenzeit
  • Bis zu drei verschiedene interne Ladungspumpenzyklen für Offset-Abgleich, Signalemulation und Kompensation der Schalterladungsinjektion
  • Vier Stromversorgungsmodi zusätzlich zu den Modi Sleep und Full Power Down
  • Korrelierte Doppelabtastung zur Offset-Subtraktion mit programmierbarer Zeitkonstante

Vorteile

  • Flexible Programmieroptionen zur Optimierung für Anwendungsanforderungen
  • Geeignet für einen breiten Bereich von Detektorgrößen, unterstützt Leitungskapazitäten bis zu 200 pF
  • Klassenbeste Werte für Rauschen, Stromverbrauch und Geschwindigkeit
  • Hohe Geschwindigkeit für dynamische Anwendungen
  • Extrem niedriger Stromverbrauch für tragbare Anwendungen
  • Geringes Rauschen für hervorragende Bildqualität
  • Genaue Temperaturrückmeldung
  • Chip-on-Flex-Gehäuse geeignet für ACF-Bonding auf der Detektorseite und für einen kostengünstigen Standardstecker auf der PCB-Seite

Produktparameter

PaketChip-on-Flex (ACF bonding + standard connector)
AnwendungenMedical Imaging, Digital Radiography
HauptfunktionCharge-to-digital Converter
Kanäle256 (240)
Auflösung bit16
Eingangsbezogenes Rauschen fC500 electrons
Min. Leistungsaufnahme mW pro Kanal1.1 - 3.1
min. Integrationszeit / Linienzeit15