Características
- Arquitectura de doble diodo patentada
- Rango dinámico de 1M:1
- Interfaz digital SMBus
- Corriente de reposo de 3µA
- Disponible en encapsulado de 1,25 mm x 1,75 mm a escala de chip o en encapsulado Dual Flat sin plomo (FN) de 2 mm x 2 mm
Ventajas
- Permite el funcionamiento en entornos con luz IR
- Permite el funcionamiento en salas oscuras y con luz solar de alta intensidad
- La interfaz digital es menos susceptible al ruido
- Permite un bajo consumo de energía en modo de espera
- Reduce los requisitos de espacio en la placa y simplifica los diseños
