Merkmale
- Patentierte Doppeldioden-Architektur
- 1M:1 dynamischer Bereich
- Digitale SMBus-Schnittstelle
- 3µA Ruhestrom
- Erhältlich in 1,25mm x 1,75mm Chip-Scale oder 2mm x 2mm Dual Flat No-Lead (FN) Gehäusen
Vorteile
- Ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit IR-Licht
- Ermöglicht den Betrieb in dunklen Räumen bis hin zu Sonnenlicht mit hohen Luxwerten
- Digitale Schnittstelle ist weniger anfällig für Rauschen
- Ermöglicht niedrigen Stromverbrauch im Standby-Modus
- Reduziert den Platzbedarf auf der Platine und vereinfacht das Design
