Merkmale Höchste Empfindlichkeit bis 188µLux Patentierte Doppeldioden-Architektur 600M:1 dynamischer Bereich Programmierbare Unterbrechungsfunktion UV-abweisendes Gehäuse Flächeneffizientes 2mm x 2,4mm Dual Flat No-Lead (FN) Gehäuse Vorteile Designflexibilität für dunkles Glas und Platzierung Ermöglicht den Betrieb in IR-Licht-Umgebungen Ermöglicht den Betrieb in dunklen Räumen bis hin zum Sonnenlicht Reduziert den Aufwand für Mikroprozessorunterbrechungen Verbessert die Lux-Genauigkeit bei verschiedenen

Merkmale Geringes Profil (0,35mm) und Mini-Größe L2,0mm x B1,0mm x H0,35mm Ein idealer 315nm-400nm UVA-Kanal, ein auf das menschliche Auge reagierender, photopischer Kanal und ein IR-Kanal Mit einem extrem rauscharmen analogen Front-End, einer bis zu 4096-fachen Verstärkung und einer 20-Bit-Auflösung bietet er eine hochempfindliche ALS-Erkennung Die spezielle Platzierung der Fotodiode an der Kante ermöglicht ein

Merkmale Integrierter photopischer Filter auf dem Chip Patentierte Doppeldioden-Architektur 1M:1 dynamischer Bereich Programmierbare Unterrechungsfunktion Flächeneffiziente 1,145mm x 1,66mm x 0,32mm Through-Silicon-Via Vorteile Bietet eine nahezu photopische Empfindlichkeit und ermöglicht eine Lux-Berechnung unabhängig vom Glastyp Ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit IR-Licht Ermöglicht den Betrieb in dunklen Räumen bis hin zum Sonnenlicht Reduziert den Aufwand für

Merkmale Patentierte Doppeldioden-Architektur 1M:1 dynamischer Bereich Digitale SMBus-Schnittstelle 3µA Ruhestrom Erhältlich in 1,25mm x 1,75mm Chip-Scale oder 2mm x 2mm Dual Flat No-Lead (FN) Gehäusen Vorteile Ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit IR-Licht Ermöglicht den Betrieb in dunklen Räumen bis hin zu Sonnenlicht mit hohen Luxwerten Digitale Schnittstelle ist weniger anfällig für Rauschen Ermöglicht niedrigen