Merkmale Direkte ToF-Technologie mit hochempfindlicher SPAD-Erkennung Schnelle Time-to-Digital Converter (TDC)-Architektur Sub-Nanosekunden-Lichtimpuls 0 – 10 cm Näherungserkennung und 10 – 60 cm Entfernungsmessung bei 60 Hz On-Chip-Histogramm-Verarbeitung 940nm VCSEL Klasse 1 Augensicherheit mit 21° FOI On-Chip-Filter und -Algorithmus zur Unterdrückung von Sonnenlicht Das branchenweit kleinste modulare OLGA-Gehäuse (2,2 mm x 3,6 mm x 1,0 mm) Vorteile […]
Merkmale Integrierter Näherungssensor und IR-LED Patentierte Doppeldioden-Architektur Näherungserkennung kalibriert und getrimmt, um konsistente Werte zu liefern Programmierbarer LED-Treiberstrom Vorteile Das Modul reduziert den Platzbedarf auf der Platine und den Entwicklungsaufwand Ermöglicht den Betrieb in IR-Licht-Umgebungen Vorab-Kalibrierung macht eine Kalibrierung des Endprodukts durch den Kunden überflüssig Ermöglicht die Auswahl mehrerer Leistungsstufen ohne externe Passive
Merkmale Integrierter Näherungssensor und IR-LED Patentierte Doppeldioden-Architektur Näherungserkennung kalibriert und getrimmt, um konsistente Werte zu liefern Programmierbarer LED-Treiberstrom Vorteile Das Modul reduziert den Platzbedarf auf der Platine und den Entwicklungsaufwand Ermöglicht den Betrieb in IR-Licht-Umgebungen Vorab-Kalibrierung macht eine Kalibrierung des Endprodukts durch den Kunden überflüssig Ermöglicht die Auswahl mehrerer Leistungsstufen ohne externe Passive
Merkmale Niedrige Bauhöhe (0,35 mm) und extrem kleine (0,7 mm³) Volumenmaße Kompensation des Übersprechens bei Annäherung 940-nm-IR-Näherung mit automatischer Subtraktion des Umgebungslichts Automatische Option für eine einzige alternative I²C-Adresse Geteilte Nah/Fern-Photodioden und versetzte Emitter/Detektor-Platzierung 0,18µm Prozesstechnologie mit 1,8V I²C Kleine Grundfläche 2,0 mm x 1,0 mm x 0,35 mm Gehäuse Vorteile Ideal für Anwendungen mit
Merkmale Ultrakline (1,0mm3) volumetrische Größe Kompensation des Übersprechens bei Annäherung 940-nm-IR-Näherung mit automatischer Subtraktion des Umgebungslichts Automatische Option für eine einzige alternative I²C-Adresse Geteilte Nah/Fern-Photodioden und versetzte Emitter/Detektor-Platzierung 0,18µm Prozesstechnologie mit 1,8V I²C Kleine Grundfläche und niedriges Profil 2,0mm x 1,0mm x 0,5 mm Gehäuse Vorteile Ideal für Anwendungen mit kleinsten Abmessungen Ermöglicht genaue und
Merkmale Kleine Grundfläche und flaches Gehäuse (3,10 x 2,05 x 1,00 mm) 0,18μm Prozesstechnologie mit 1,8V I²C-Bus Vorteile Reduzierter Platzbedarf auf der Platine und niedriges Systemdesign Geringerer Stromverbrauch
Merkmale 102 Sensorelemente Organisation 300 DPI Sensorabstand Digitaler Ausgang Programmierbare Verstärkung Vorteile Bietet eine hohe Pixeldichte Ermöglicht hochauflösendes Scannen Bietet integrierte Analog-Digital-Wandlung Ermöglicht einen skalierbaren Betriebsbereich
Merkmale 128 Sensorelemente Organisation 400 DPI Sensorabstand Hohe Linearität und Gleichmäßigkeit Rail-to-Rail-Ausgangsschwingung Vorteile Bietet eine hohe Dichte an Pixeln Ermöglicht hochauflösendes Scannen Ermöglicht kapazitive Schwellenwertabtastung Ermöglicht vollen Dynamikbereich
Merkmale 128 x 1 Sensorelement-Organisation 400 DPI Sensorabstand Hohe Linearität und Gleichmäßigkeit Rail-to-Rail-Ausgangsschwingung Vorteile Ermöglicht hochauflösende Kantenerkennung Unterstützt hochauflösende OCR, Barcode-Lesung Erleichtert das Scannen von Graustufen und die genaue Positionierung Nutzt den vollen ADC-Eingangsbereich
Merkmale 850K:1 Eingangsdynamikbereich Niedrige Dunkelfrequenz (0,6 Hz typisch) 2,6mm x 3,8mm 4-poliges SMD (T)-Gehäuse Vorteile Erfasst die Lichtintensität mit einer hohen Auflösung Ermöglicht den Betrieb bei geringen Lichtverhältnissen Reduziert den Platzbedarf auf der Platine und vereinfacht das Design
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